IRF6723M2DTRPBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

DirectFET-MA

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

15 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

11.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.35 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

9.4 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.7 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.7 mm

Ұзындығы:

6.35 mm

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Ені:

5.05 mm

Бренд:

Infineon / IR

Форвард өткізгіштік - Мин:

34 S

Күз уақыты:

20 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

41 ns

Зауыттық буманың саны:

4000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

15 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

14 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001529196

Tags

IRF672, IRF67, IRF6, IRF