SI2312DS-T1-E3

SI2312DS-T1-E3
Mfr. #:
SI2312DS-T1-E3
Өндіруші:
Vishay Intertechnologies
Сипаттама:
MOSFET, FULL REEL, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:4.9A, Drain Source Voltage Vds:20V, On Resistance Rds(on):0.033ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SI2312DS-T1-E3 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Tags
SI2312DS-T, SI2312D, SI2312, SI231, SI23, SI2
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ied Electronics & Automation
MOSFET; N-Channel; 0.027 Ohms (Typ.) @ 4.5 V, 0.042 Ohms (Typ.) @ 1.8 V; 3.77 A
*** Americas
MOSFET N-CH VDS20V VGS 8V ID4.9A
***nell
MOSFET, N, TO-236; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:20V; Current, Id Cont:4.9A; On State Resistance:0.033ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:0.65V; Case Style:TO-236; Termination Type:SMD
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SI2312DS-T1-E3
DISTI # 06J7575
Vishay IntertechnologiesMOSFET, FULL REEL,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:4.9A,Drain Source Voltage Vds:20V,On Resistance Rds(on):0.033ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V,Threshold Voltage Vgs:650mV,Power Dissipation Pd:750mW RoHS Compliant: Yes0
    SI2312DS-T1-E3
    DISTI # 781-SI2312DS-E3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI2312BDS-E3
    RoHS: Compliant
    0
      SI2312DS-T1-E3Vishay Intertechnologies 3
        Сурет Бөлім № Сипаттама
        SI2312DS

        Mfr.#: SI2312DS

        OMO.#: OMO-SI2312DS-1190

        Жаңа және түпнұсқа
        SI2312DS-T1

        Mfr.#: SI2312DS-T1

        OMO.#: OMO-SI2312DS-T1-1190

        MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI2312BDS-E3
        SI2312DS-T1-E3

        Mfr.#: SI2312DS-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI2312DS-T1-E3-1190

        MOSFET, FULL REEL, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:4.9A, Drain Source Voltage Vds:20V, On Resistance Rds(on):0.033ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage
        SI2312DS-T1-GE3

        Mfr.#: SI2312DS-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI2312DS-T1-GE3-1190

        Жаңа және түпнұсқа
        SI2312DS-T1/C2T0D

        Mfr.#: SI2312DS-T1/C2T0D

        OMO.#: OMO-SI2312DS-T1-C2T0D-1190

        Жаңа және түпнұсқа
        Қол жетімділік
        Қор:
        Available
        Тапсырыс бойынша:
        4000
        Саны енгізіңіз:
        SI2312DS-T1-E3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
        Анықтамалық баға (USD)
        Саны
        Тауар өлшемінің бағасы
        Қосымша. Бағасы
        1
        0,00 $
        0,00 $
        10
        0,00 $
        0,00 $
        100
        0,00 $
        0,00 $
        500
        0,00 $
        0,00 $
        1000
        0,00 $
        0,00 $
        2021 жылдан бастап жартылай өткізгіштің жетіспеушілігіне байланысты 2021 жылға дейінгі қалыпты баға төмен. Растау үшін сұрау жіберіңіз.
        -ден бастаңыз
        Top