SPB80N06S-08

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

55 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

80 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

8 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

300 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Сауда атауы:

SIPMOS

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

4.4 mm

Ұзындығы:

10 mm

Серия:

SIPMOS

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

9.25 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

73 S

Күз уақыты:

32 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

53 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

54 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

22 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP000084808 SPB80N06S08ATMA1 SPB8N6S8XT

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

SPB80N06S, SPB80N06, SPB80N0, SPB80N, SPB8, SPB