NE3210S01

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

CEL

Өнім санаты:

RF JFET транзисторлары

RoHS:

Y

Транзистор түрі:

HFET

Технология:

GaAs

Табыс:

13.5 dB

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

4 V

Vgs - Gate-Source бұзылу кернеуі:

- 3 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

70 mA

Максималды жұмыс температурасы:

+ 125 C

Pd - қуаттың шығыны:

165 mW

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-1

Қаптама:

Жаппай

Жұмыс жиілігі:

12 GHz

Өнім:

RF JFET

Түрі:

GaAs HFET

Бренд:

CEL

Форвард өткізгіштік - Мин:

55 mS

Шлюз-көзінің кесу кернеуі:

2 V

NF - Шудың суреті:

0.35 dB

Өнім түрі:

RF JFET транзисторлары

Зауыттық буманың саны:

1

Ішкі санат:

Транзисторлар

Tags

NE3210S0, NE3210S, NE3210, NE321, NE32, NE3