FQD19N10LTM

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ON Жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

E

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

15.6 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

100 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.5 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

2.39 mm

Ұзындығы:

6.73 mm

Серия:

FQD19N10L

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

MOSFET

Ені:

6.22 mm

Бренд:

ON Semiconductor / Fairchild

Форвард өткізгіштік - Мин:

14 S

Күз уақыты:

140 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

410 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

20 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

14 ns

Бірлік салмағы:

0.009184 oz

Tags

FQD19N10LTM, FQD19N10LT, FQD19N10L, FQD19N, FQD19, FQD1, FQD