STB21NM50N

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

500 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

18 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

190 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

25 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

140 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

4.6 mm

Ұзындығы:

10.4 mm

Серия:

STF21NM50N

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

9.35 mm

Бренд:

STMicroelectronics

Күз уақыты:

30 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

18 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

90 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

22 ns

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

STB21NM, STB21N, STB21, STB2, STB