SSM6L61NU,LF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

UDFN-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

4 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

108 mOhms, 157 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

400 mV, 500 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

8 V, 12 V

Qg - қақпа заряды:

3.6 nC, 6.74 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

-

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.75 mm

Ұзындығы:

2 mm

Өнім:

MOSFETs

Серия:

UMOSIX

Транзистор түрі:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Түрі:

Silicon P-/N-арна MOS

Ені:

2 mm

Бренд:

Toshiba

Форвард өткізгіштік - Мин:

12 S, 9.5 S

Күз уақыты:

-

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

-

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

45 ns, 54 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

25 ns, 21 ns

Tags

SSM6L6, SSM6L, SSM6, SSM