IRF5803D2PBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

40 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3.4 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

190 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

25 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

1.75 mm

Ұзындығы:

4.9 mm

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Түрі:

FETKY MOSFET және Шоттки диоды

Ені:

3.9 mm

Бренд:

Infineon / IR

Күз уақыты:

50 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

550 ns

Зауыттық буманың саны:

95

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

88 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

43 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001554058

Бірлік салмағы:

0.019048 oz

Tags

IRF5803D2, IRF5803D, IRF5803, IRF580, IRF58, IRF5, IRF