CGH60008D-GP4

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Cree, Inc.

Өнім санаты:

RF JFET транзисторлары

RoHS:

Y

Транзистор түрі:

HEMT

Технология:

GaN

Табыс:

15 dB

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

120 V

Vgs - Gate-Source бұзылу кернеуі:

- 10 V to 2 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

0.75 A

Шығу қуаты:

8 W

Су төгетін қақпаның максималды кернеуі:

-

Ең төменгі жұмыс температурасы:

-

Максималды жұмыс температурасы:

-

Pd - қуаттың шығыны:

-

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

Өл

Қаптама:

Вафли

Қолдану:

-

Конфигурация:

Бойдақ

Биіктігі:

100 um

Ұзындығы:

820 um

Жұмыс жиілігі:

4 GHz to 6 GHz

Жұмыс температурасының диапазоны:

-

Өнім:

GaN HEMT

Ені:

920 um

Бренд:

Wolfspeed / Cree

Шлюз-көзінің кесу кернеуі:

-

Сынып:

-

Әзірлеу жинағы:

-

Күз уақыты:

-

NF - Шудың суреті:

-

P1dB - қысу нүктесі:

-

Өнім түрі:

RF JFET транзисторлары

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1.6 Ohms

Көтеру уақыты:

-

Зауыттық буманың саны:

10

Ішкі санат:

Транзисторлар

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

-

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

- 3 V

Tags

CGH600, CGH60, CGH6, CGH