SIZ346DT-T1-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PowerPAIR-3x3-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

17 A, 30 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

11.5 mOhms, 28.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.2 V, 2.4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

- 16 V, 20 V

Qg - қақпа заряды:

6.6 nC, 10 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

16 W, 16.7 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Серия:

SIZ

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

17 S

Күз уақыты:

7 ns, 8 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

15 ns, 40 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

7 ns, 17 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

7 ns, 8 ns

Tags

SIZ34, SiZ3, SiZ