DMTH8012LK3-13

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

80 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

50 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

12.1 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

34 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.6 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Серия:

DMTH8012

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Форвард өткізгіштік - Мин:

-

Күз уақыты:

3.5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

3.8 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

16.5 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

4.9 ns

Бірлік салмағы:

0.011993 oz

Tags

DMTH801, DMTH8, DMTH, DMT