TCET1108G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

Транзисторлық шығыс оптопарлары

RoHS:

Y

Пакет/қорап:

DIP-4

Шығару түрі:

NPN фототранзисторы

Арналар саны:

1 Channel

Егер - Форвард ток:

60 mA

Коллектор эмиттерінің максималды кернеуі:

70 V

Максималды коллекторлық ток:

50 mA

Оқшаулау кернеуі:

5000 Vrms

Коллектор эмиттерінің максималды қанығу кернеуі:

0.3 V

Vf - алға кернеу:

1.6 V

Vr - Кері кернеу:

6 V

Pd - қуаттың шығыны:

265 mW

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 40 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 100 C

Қаптама:

Түтік

Конфигурация:

1 Channel

Биіктігі:

3.6 mm

Ұзындығы:

4.75 mm

Ені:

6.3 mm

Бренд:

Вишай жартылай өткізгіштері

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Ағымдағы трансферт коэффициенті:

260 %

Өнім түрі:

Транзисторлық шығыс оптопарлары

Зауыттық буманың саны:

4000

Ішкі санат:

Оптопарлар

Tags

TCET1108, TCET110, TCET11, TCET1, TCET, TCE