FDN308P_F154

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ON Жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SSOT-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

1.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

136 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

12 V

Qg - қақпа заряды:

3.8 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

500 mW (1/2 W)

Конфигурация:

Бойдақ

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.12 mm

Ұзындығы:

2.9 mm

Серия:

FDN308P

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

1.4 mm

Бренд:

ON Semiconductor / Fairchild

Форвард өткізгіштік - Мин:

12 S

Күз уақыты:

8 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

10 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

12 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

8 ns

Бірлік салмағы:

0.001058 oz

Tags

FDN308P, FDN308, FDN30, FDN3, FDN