IRF7350PBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2.1 A

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

19 nC, 21 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

1.75 mm

Ұзындығы:

4.9 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Түрі:

MOSFET қуаты

Ені:

3.9 mm

Бренд:

Infineon / IR

Форвард өткізгіштік - Мин:

2.4 S, 1.1 S

Күз уақыты:

20 ns, 40 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

11 ns, 13 ns

Зауыттық буманың саны:

4085

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

35 ns, 30 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

6.7 ns, 25 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001554224

Бірлік салмағы:

0.019048 oz

Tags

IRF7350, IRF735, IRF73, IRF7, IRF