TC6320K6-G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

DFN-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

200 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

1 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

7 Ohms, 8 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.37 mm

Ұзындығы:

4.89 mm

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Транзистор түрі:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ені:

3.91 mm

Бренд:

Микрочип технологиясы

Форвард өткізгіштік - Мин:

400 mS, 400 mS

Күз уақыты:

15 ns, 15 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

15 ns, 15 ns

Зауыттық буманың саны:

3300

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

20 ns, 20 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

10 ns, 10 ns

Бірлік салмағы:

0.001319 oz

Tags

TC6320, TC632, TC63, TC6