BSS670S2LH6433XTMA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-23-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

55 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

540 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

650 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

2.26 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

360 mW

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.1 mm

Ұзындығы:

2.9 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

1.3 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

0.6 S

Күз уақыты:

24 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

25 ns

Зауыттық буманың саны:

10000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

21 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

9 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSS670S2L H6433 SP001341854

Бірлік салмағы:

0.000282 oz

Tags

BSS670S2LH, BSS670, BSS67, BSS6, BSS