IRFHM4226TRPBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PQFN-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

25 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

28 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

2.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.6 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

32 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.7 W

Конфигурация:

Бойдақ

Сауда атауы:

FastIRFet

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.05 mm

Ұзындығы:

3.3 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

3.3 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

136 S

Күз уақыты:

8.1 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

35 ns

Зауыттық буманың саны:

4000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

14 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

11 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001556568

Tags

IRFHM4, IRFHM, IRFH, IRF