CGHV1J025D-GP4

CGHV1J025D-GP4
Mfr. #:
CGHV1J025D-GP4
Өндіруші:
N/A
Сипаттама:
RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
CGHV1J025D-GP4 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
CGHV1J025D-GP4 Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
Қорво
Өнім санаты:
RF JFET транзисторлары
RoHS:
Y
Транзистор түрі:
HEMT
Технология:
GaN SiC
Табыс:
20 dB
Транзистордың полярлығы:
N-арна
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:
50 V
Vgs - Gate-Source бұзылу кернеуі:
145 V
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:
2.5 A
Шығу қуаты:
70 W
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 40 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 85 C
Pd - қуаттың шығыны:
64 W
Орнату стилі:
Бұрандалы бекіту
Пакет/қорап:
NI-360
Қаптама:
Науа
Конфигурация:
Бойдақ
Жұмыс жиілігі:
3.7 GHz
Жұмыс температурасының диапазоны:
- 40 C to + 85 C
Серия:
QPD
Бренд:
Қорво
Әзірлеу жинағы:
QPD1015LPCB401
Өнім түрі:
RF JFET транзисторлары
Зауыттық буманың саны:
25
Ішкі санат:
Транзисторлар
Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:
- 2.8 V
Tags
CGHV1J02, CGHV1J, CGHV1, CGHV, CGH
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
RF MOSFET HEMT 40V DIE
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
GaN HEMTs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
CGHV1J025D-GP4
DISTI # V36:1790_22799863
Cree, Inc.RF POWER TRANSISTOR0
  • 25000:$46.5200
  • 5000:$48.2700
  • 500:$52.3800
  • 50:$53.1400
CGHV1J025D-GP4
DISTI # CGHV1J025D-GP4-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 40V DIE
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tray
120In Stock
  • 10:$41.7200
CGHV1J025D-GP4
DISTI # 941-CGHV1J025D
Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
RoHS: Compliant
0
  • 10:$46.8100
CGHV1J025D-GP4
DISTI # CGHV1J025D-GP4
WolfspeedRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant
0
  • 50:$42.6500
Сурет Бөлім № Сипаттама
CMPA1D1E025F

Mfr.#: CMPA1D1E025F

OMO.#: OMO-CMPA1D1E025F

RF Amplifier GaN MMIC Power Amp 13.75-14.5GHz 25Watt
CGHV1J070D-GP4

Mfr.#: CGHV1J070D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV1J070D-GP4

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
CGHV1J006D-GP4

Mfr.#: CGHV1J006D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV1J006D-GP4

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
CGHV1J006D-GP4

Mfr.#: CGHV1J006D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV1J006D-GP4-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 40V DIE
CGHV1J070D-GP4

Mfr.#: CGHV1J070D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV1J070D-GP4-WOLFSPEED

RF POWER TRANSISTOR
CMPA1D1E025F

Mfr.#: CMPA1D1E025F

OMO.#: OMO-CMPA1D1E025F-WOLFSPEED

IC AMP 13.75GHZ-14.5GHZ 440208
Қол жетімділік
Қор:
Available
Тапсырыс бойынша:
1500
Саны енгізіңіз:
CGHV1J025D-GP4 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
Анықтамалық баға (USD)
Саны
Тауар өлшемінің бағасы
Қосымша. Бағасы
10
46,81 $
468,10 $
2021 жылдан бастап жартылай өткізгіштің жетіспеушілігіне байланысты 2021 жылға дейінгі қалыпты баға төмен. Растау үшін сұрау жіберіңіз.
-ден бастаңыз
Top