IXFA4N100P

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1 kV

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

4 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

3.3 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

6 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

26 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

150 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

HiPerFET

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

4.83 mm

Ұзындығы:

9.65 mm

Серия:

IXFA4N100

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

Polar HiPerFET Power MOSFET

Ені:

10.41 mm

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

1.8 S

Күз уақыты:

50 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

36 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

37 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

24 ns

Бірлік салмағы:

0.056438 oz

Tags

IXFA4N100P, IXFA4N1, IXFA4, IXFA, IXF