TPN2R503NC,L1Q

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSON-Advance-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

85 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

2.1 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

40 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

35 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.85 mm

Ұзындығы:

3.1 mm

Серия:

TPN2R503NC

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

3.1 mm

Бренд:

Toshiba

Күз уақыты:

24 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

9 ns

Зауыттық буманың саны:

5000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

68 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

14 ns

Tags

TPN2R5, TPN2R, TPN2, TPN