TPN4R712MD,L1Q

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSON Advance-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

36 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

4.7 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

500 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

4.5 V

Qg - қақпа заряды:

65 nC

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

42 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.85 mm

Ұзындығы:

3.1 mm

Серия:

TPN4R712MD

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

3.1 mm

Бренд:

Toshiba

Күз уақыты:

145 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

11 ns

Зауыттық буманың саны:

5000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

443 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

18 ns

Бірлік салмағы:

0.000705 oz

Tags

TPN4R712M, TPN4R7, TPN4, TPN