IPL60R210P6

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

ThinPAK-5

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

19.2 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

189 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

37 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 40 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

151 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

CoolMOS

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1 mm

Ұзындығы:

8 mm

Серия:

CoolMOS P6

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

8 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Күз уақыты:

7 ns

Ылғалға сезімтал:

Иә

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

8 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

45 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

15 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

IPL60R210P6AUMA1 SP001017096

Бірлік салмағы:

0.006716 oz

Tags

IPL60R21, IPL60R2, IPL60, IPL6, IPL