SIRA99DP-T1-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

E

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PowerPAK-SO-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

195 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1.7 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

- 20 V, 16 V

Qg - қақпа заряды:

172.5 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

104 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

PowerPAK

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

114 S

Күз уақыты:

57 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

183 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

64 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

69 ns

Tags

SIRA9, SIRA, SIR