IRF7807VD2PBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

8.3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

25 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

9.5 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.5 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

1.75 mm

Ұзындығы:

4.9 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

FETKY MOSFET және Шоттки диоды

Ені:

3.9 mm

Бренд:

Infineon / IR

Күз уақыты:

2.2 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

1.2 ns

Зауыттық буманың саны:

95

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

11 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

6.3 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001575258

Бірлік салмағы:

0.019048 oz

Tags

IRF7807VD2, IRF7807VD, IRF7807V, IRF7807, IRF780, IRF78, IRF7, IRF