SI1012CR-T1-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SC-75-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

600 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

396 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

400 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

4.5 V

Qg - қақпа заряды:

1.3 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

240 mW

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.8 mm

Ұзындығы:

1.575 mm

Серия:

SI1

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

0.76 mm

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

7.5 S

Күз уақыты:

11 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

16 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

26 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

11 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SI1012CR-GE3

Бірлік салмағы:

0.000071 oz

Tags

SI1012, SI101, SI10, SI1