FDR858P

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ON Жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SSOT-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

8 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

19 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.8 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.02 mm

Ұзындығы:

4.06 mm

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Түрі:

MOSFET

Ені:

3.3 mm

Бренд:

ON Semiconductor / Fairchild

Форвард өткізгіштік - Мин:

25 S

Күз уақыты:

15 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

15 ns

Зауыттық буманың саны:

750

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

100 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

12 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

FDR858P_NL

Бірлік салмағы:

0.001467 oz

Tags

FDR85, FDR8, FDR