TSM6502CR RLG

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Тайвань жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PDFN56-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

5.4 A, 4 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

28 mOhms, 73 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V, - 4.5 V

Qg - қақпа заряды:

20.8 nC, 9.5 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

40 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Бренд:

Тайвань жартылай өткізгіш

Күз уақыты:

18 ns, 44 ns

Ылғалға сезімтал:

Иә

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

25 ns, 28 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

18 ns, 44 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

7.4 ns, 4 ns

Tags

TSM650, TSM65, TSM6, TSM