BSC072N03LDGATMA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TDSON-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

20 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

6 mOhms, 6 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

41 nC, 41 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

57 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

OptiMOS

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.27 mm

Ұзындығы:

5.9 mm

Серия:

OptiMOS 3

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Ені:

5.15 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

28 S, 28 S

Күз уақыты:

4 ns, 4 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

4 ns, 4 ns

Зауыттық буманың саны:

5000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

25 ns, 25 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

6 ns, 6 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSC072N03LD BSC72N3LDGXT G SP000359607

Бірлік салмағы:

0.003425 oz

Tags

BSC072N03LDG, BSC072N03, BSC072N0, BSC072, BSC07, BSC0, BSC