NP36P04SDG-E1-AY

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Renesas Electronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

40 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

36 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

17 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

1200 mW

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

2.3 mm

Ұзындығы:

6.5 mm

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

6.1 mm

Бренд:

Renesas Electronics

Күз уақыты:

140 ns

Ылғалға сезімтал:

Иә

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

10 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

250 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

8 ns

Бірлік салмағы:

0.011993 oz

Tags

NP36P04SDG-E, NP36P04S, NP36P04, NP36P, NP36, NP3