APTM100A13SG

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

Дискретті жартылай өткізгіш модульдер

RoHS:

Y

Өнім:

Power MOSFET модульдері

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Орнату стилі:

Бұрандалы бекіту

Пакет/қорап:

SP-6

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 40 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Қаптама:

Түтік

Конфигурация:

Бойдақ

Биіктігі:

21.9 mm

Ұзындығы:

108 mm

Ені:

62 mm

Бренд:

Микрочип / Microsemi

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Күз уақыты:

24 ns

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

65 A

Pd - қуаттың шығыны:

1.25 kW

Өнім түрі:

Дискретті жартылай өткізгіш модульдер

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

130 mOhms

Көтеру уақыты:

9 ns

Зауыттық буманың саны:

1

Ішкі санат:

Дискретті жартылай өткізгіш модульдер

Сауда атауы:

POWER MOS 7

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

50 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

9 ns

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1 kV

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3 V

Бірлік салмағы:

3.880136 oz

Tags

APTM100A13, APTM100A1, APTM100A, APTM100, APTM10, APTM1, APTM, APT