BSO200N03

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

7 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

20 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.56 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.75 mm

Ұзындығы:

4.9 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

3.9 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Күз уақыты:

2.6 ns

Ылғалға сезімтал:

Иә

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

2.6 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

12 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

2.9 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSO200N03XT

Бірлік салмағы:

0.019048 oz

Tags

BSO200N0, BSO200N, BSO200, BSO20, BSO2, BSO