SI9926CDY-T1-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

8 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

18 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

600 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

4.5 V

Qg - қақпа заряды:

22 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

3.1 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.75 mm

Ұзындығы:

4.9 mm

Серия:

SI9

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Ені:

3.9 mm

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

45 S

Күз уақыты:

12 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

10 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

35 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

15 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SI9926CDY-GE3

Бірлік салмағы:

0.006596 oz

Tags

SI9926CDY-T1-G, SI9926CDY-T1, SI9926CDY-T, SI9926CD, SI9926C, SI9926, SI992, SI99, SI9