PHD9NQ20T,118

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Nexperia

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

200 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

44 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

300 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

88 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

2.38 mm

Ұзындығы:

6.73 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

6.22 mm

Бренд:

Nexperia

Күз уақыты:

15 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

19 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

25 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

8 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

/T3 PHD9NQ20T

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

PHD9NQ, PHD9N, PHD9, PHD