IXTP86N20T

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

200 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

86 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

29 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

90 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

480 W

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

HiPerFET

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

16 mm

Ұзындығы:

10.66 mm

Серия:

IXTP86N20

Түрі:

Tranch Gate Power MOSFET

Ені:

4.83 mm

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

46 S

Күз уақыты:

29 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

24 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

52 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

22 ns

Бірлік салмағы:

0.081130 oz

Tags

IXTP8, IXTP, IXT