2N6990/TR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

Биполярлы транзисторлар - BJT

RoHS:

N

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-86-14

Транзистордың полярлығы:

NPN

Конфигурация:

Төрт

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

50 V

Коллектор – базалық кернеу VCBO:

75 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

6 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

1 V

Тұрақты ток коллекторының максималды тогы:

800 mA

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 65 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 200 C

Тұрақты ток күші hFE макс:

325 at 1 mA, 10 V

Қаптама:

Ролик

Бренд:

Микрочип / Microsemi

Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:

50 at 1 mA, 10 V

Pd - қуаттың шығыны:

1 W

Өнім түрі:

BJTs - Биполярлы транзисторлар

Зауыттық буманың саны:

100

Ішкі санат:

Транзисторлар

Tags

2N6990, 2N699, 2N69, 2N6