SSM6J53FE

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

ES6-6

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

1.8 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

136 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

8 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

500 mW (1/2 W)

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.55 mm

Ұзындығы:

1.6 mm

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Серия:

SSM6J53

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

1.2 mm

Бренд:

Toshiba

Өнім түрі:

MOSFET

Зауыттық буманың саны:

8000

Ішкі санат:

MOSFETs

Бірлік салмағы:

0.001270 oz

Tags

SSM6J5, SSM6J, SSM6, SSM