PMDPB80XP,115

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Nexperia

Өнім санаты:

MOSFET

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

DFN-2020-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3.7 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

80 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

600 mV

Qg - қақпа заряды:

5.7 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

6.25 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

2 P-Channel

Бренд:

Nexperia

Күз уақыты:

50 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

14 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

120 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

6 ns

Tags

PMDPB8, PMDPB, PMDP, PMD