SIHFS9N60A-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

9.2 A

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

49 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

170 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Серия:

SIHFS

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

5.5 S

Күз уақыты:

22 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

25 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

30 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

13 ns

Бірлік салмағы:

0.077603 oz

Tags

SIHFS, SIHF, SIH