DMT6018LDR-13

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

Технология:

Си

Пакет/қорап:

V-DFN3030-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна, NPN

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

8.8 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

13 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

13.9 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.9 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Күз уақыты:

3.5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

4.6 ns

Зауыттық буманың саны:

10000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

10.8 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

3.5 ns

Tags

DMT601, DMT60, DMT6, DMT