IXTA1N100P

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1 kV

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

1.2 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

13 Ohms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

50 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

4.83 mm

Ұзындығы:

10.41 mm

Серия:

IXTA1N100

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

9.65 mm

Бренд:

IXYS

Күз уақыты:

24 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

26 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

55 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

20 ns

Бірлік салмағы:

0.081130 oz

Tags

IXTA1N10, IXTA1N1, IXTA1N, IXTA1, IXTA, IXT