IXFQ30N60X

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-3P-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

30 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

155 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

56 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

500 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

HiPerFET

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

IXYS

Күз уақыты:

33 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

43 ns

Зауыттық буманың саны:

30

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

58 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

21 ns

Tags

IXFQ, IXF