TN2106N3-G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-92-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

300 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

2.5 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

600 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

740 mW

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Жаппай

Биіктігі:

5.33 mm

Ұзындығы:

5.21 mm

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

FET

Ені:

4.19 mm

Бренд:

Микрочип технологиясы

Форвард өткізгіштік - Мин:

150 mS

Күз уақыты:

5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

5 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

6 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

3 ns

Бірлік салмағы:

0.016000 oz

Tags

TN2106, TN210, TN21, TN2