HP8K22TB

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

HSOP-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

27 A, 57 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

6.7 mOhms, 3.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

10 nC, 16.8 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

3 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Форвард өткізгіштік - Мин:

10 S, 18 S

Күз уақыты:

3.4 ns, 8.4 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

4.5 ns, 7.2 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

25.5 ns, 34.7 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

9.6 ns, 13.2 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

HP8K22

Tags

HP8K22, HP8K2, HP8K, HP8