IPI072N10N3 G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-262-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

80 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

7.2 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

150 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

OptiMOS

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

9.45 mm

Ұзындығы:

10.2 mm

Серия:

OptiMOS 3

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

4.5 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Күз уақыты:

9 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

37 ns

Зауыттық буманың саны:

500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

37 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

19 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

IPI072N10N3GXKSA1 IPI72N1N3GXK SP000680674

Бірлік салмағы:

0.073511 oz

Tags

IPI072N10N3G, IPI072, IPI07, IPI0, IPI