CSD13303W1015

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Texas Instruments

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

DSBGA-6

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

12 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

20 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

850 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

8 V

Qg - қақпа заряды:

3.9 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.65 W

Конфигурация:

Бойдақ

Сауда атауы:

NexFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.625 mm

Ұзындығы:

1.5 mm

Серия:

CSD13303W1015

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

1 mm

Бренд:

Texas Instruments

Форвард өткізгіштік - Мин:

14 S

Күз уақыты:

3.2 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

10 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

14.7 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

4.6 ns

Бірлік салмағы:

0.000060 oz

Tags

CSD1330, CSD133, CSD13, CSD1, CSD