ZVNL120ASTOB

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-92-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

200 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

180 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

10 Ohms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

700 mW

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Жаппай

Биіктігі:

4.01 mm

Ұзындығы:

4.77 mm

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

FET

Ені:

2.41 mm

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Күз уақыты:

8 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

8 ns

Зауыттық буманың саны:

4000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

20 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

8 ns

Бірлік салмағы:

0.016000 oz

Tags

ZVNL120AS, ZVNL120A, ZVNL120, ZVNL12, ZVNL1, ZVNL, ZVN