OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Сәлем, жүйеге кіріңізМенің аккаунтым
0 Арба

NSS12601CF8T1G

NSS12601CF8T1G
Mfr. #:
NSS12601CF8T1G
Өндіруші:
ON Semiconductor
Сипаттама:
Bipolar Transistors - BJT HEX SCHMITT TRIGGER INVERTOR
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
NSS12601CF8T1G Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
NSS12601CF8T1G DatasheetNSS12601CF8T1G Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
ON Жартылай өткізгіш
Өнім санаты:
Биполярлы транзисторлар - BJT
RoHS:
Y
Орнату стилі:
SMD/SMT
Пакет/қорап:
ChipFET-8
Транзистордың полярлығы:
NPN
Конфигурация:
Бойдақ
Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:
12 V
Коллектор – базалық кернеу VCBO:
12 V
Эмитент – базалық кернеу VEBO:
6 V
Тұрақты ток коллекторының максималды тогы:
6 A
Өткізу қабілеттілігін арттыру өнімі fT:
140 MHz
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 55 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 150 C
Серия:
NSS12601CF8
Биіктігі:
1.05 mm
Ұзындығы:
3.05 mm
Қаптама:
Ролик
Ені:
1.65 mm
Бренд:
ON Жартылай өткізгіш
Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:
200
Pd - қуаттың шығыны:
1400 mW
Өнім түрі:
BJTs - Биполярлы транзисторлар
Зауыттық буманың саны:
3000
Ішкі санат:
Транзисторлар
Tags
NSS12, NSS1, NSS
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
NSS Series 12 V 6 A Surface Mount Low Vce NPN Transistor - CASE 1206A
*** Stop Electro
Small Signal Bipolar Transistor, 6A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
***p One Stop Global
Trans GP BJT NPN 12V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
***emi
Low VCE(sat) Transistor, NPN, 12 V, 6.0 A
***ark
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 12V, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage Max:12V; Continuous Collector Current:8A; Power Dissipation:1.4W; Transistor Mounting:Surface Mount; No. of Pins:8Pins; Product Range:- RoHS Compliant: Yes
***ure Electronics
Bipolar (BJT) Transistor NPN 12V 2A 360MHz 200mW Surface Mount SMT3
***(Formerly Allied Electronics)
ROHM 2SD2653KT146 NPN Bipolar Transistor; 2 A; 12 V; 3-Pin SC-59
*** Stop Electro
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
***et
Trans GP BJT NPN 12V 2A 3-Pin SMT T/R
***ark
Transistor,npn,12V,2A,sot-346; Transistor Polarity:npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:12V; Dc Collector Current:2A; Power Dissipation Pd:200Mw; Transistor Mounting:surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency Ft:360Mhzrohs Compliant: Yes
***(Formerly Allied Electronics)
ROHM 2SD2701TL NPN Bipolar Transistor; 1.5 A; 30 V; 3-Pin TUMT
***p One Stop Global
Trans GP BJT NPN 12V 1.5A 800mW 3-Pin TUMT T/R
***nell
TRANSISTOR, NPN, 30V, 1.5A, SOT-323T; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V; Transition Frequency ft: 300MHz; Power Dissipation Pd: 400mW; DC Collector Current: 1.5A; DC Current Gain hFE: 270hFE; Transistor Case Style: SOT-323T; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
***ical
Trans GP BJT NPN 12V 1.5A 800mW 3-Pin TUMT T/R
***nell
TRANS, NPN, 12V, 1.5A, 150DEG C, 0.4W; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 12V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 400mW; DC Collector Current: 1.5A; DC Current Gain hFE: 270hFE; Transistor Case Style: SOT-323; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
***i-Key
TRANS NPN 12V 1.5A TUMT3
***emi
RF Transistor, NPN Single, 12 V, 100 mA, fT = 10 GHz
***r Electronics
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, X Band, Silicon, NPN
***enic
1Ã×A 12V 450mW 100mA 60@50mA5V 10GHz NPN +150¡Í@(Tj) MCPH-4 Bipolar Transistors - BJT ROHS
***ical
Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 450mW Automotive 4-Pin MCPH T/R
***ment14 APAC
RF Transistor, NPN, 12V, 0.1A, 150DEG C; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Transition Frequency ft:10GHz; Power
***nell
RF TRANS, NPN, 12V, 0.1A, 150DEG C; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 12V; Transition Frequency ft: 10GHz; Power Dissipation Pd: 450mW; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 60hFE; RF Transistor Case: SOT-343; No. of Pins: 4Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
***emi
RF Transistor, NPN Single, 12 V, 30 mA, fT = 10 GHz
***r Electronics
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, NPN
***enic
1Ã×A 12V 350mW 30mA 60@5mA5V 10GHz NPN +150¡Í@(Tj) MCPH-4 Bipolar Transistors - BJT ROHS
***emi
RF Transistor, NPN Single, 12 V, 30 mA, fT = 10 GHz
***enic
1Ã×A 12V 350mW 30mA 60@5mA5V 10GHz NPN +150¡Í@(Tj) MCPH-4 Bipolar Transistors - BJT ROHS
***r Electronics
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
NSS12601CF8T1G
DISTI # NSS12601CF8T1GOSTR-ND		ON SemiconductorTRANS NPN 12V 6A 1206A CHIPFET
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 3000:$0.2680
NSS12601CF8T1G
DISTI # 50M4392		ON SemiconductorBIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 12V, FULL REEL,Transistor Polarity:NPN,Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V,Transition Frequency ft:140MHz,Power Dissipation Pd:1.4W,DC Collector Current:8A,DC Current Gain hFE:395hFE RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$0.3520
NSS12601CF8T1G
DISTI # 863-NSS12601CF8T1G		ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT HEX SCHMITT TRIGGER INVERTOR
RoHS: Compliant		0
  • 1:$0.6600
  • 10:$0.5460
  • 100:$0.3520
  • 1000:$0.2820
  • 3000:$0.2380
  • 9000:$0.2290
  • 24000:$0.2200
NSS12601CF8T1GON Semiconductor 
RoHS: Not Compliant		66440
  • 1000:$0.2600
  • 500:$0.2800
  • 100:$0.2900
  • 25:$0.3000
  • 1:$0.3200
NSS12601CF8T1GON Semiconductor 2641
    Сурет Бөлім № Сипаттама
    NSS12601CF8T1G

    Mfr.#: NSS12601CF8T1G

    OMO.#: OMO-NSS12601CF8T1G

    		 Bipolar Transistors - BJT HEX SCHMITT TRIGGER INVERTOR
    NSS12600CF8T1G

    Mfr.#: NSS12600CF8T1G

    OMO.#: OMO-NSS12600CF8T1G

    		 Bipolar Transistors - BJT SBN BE (MY1) CHPFET 12V
    NSS12600CF8T1G

    Mfr.#: NSS12600CF8T1G

    OMO.#: OMO-NSS12600CF8T1G-ON-SEMICONDUCTOR

    		 TRANS PNP 12V 5A CHIPFET
    NSS12601CF8T1G

    Mfr.#: NSS12601CF8T1G

    OMO.#: OMO-NSS12601CF8T1G-ON-SEMICONDUCTOR

    		 Bipolar Transistors - BJT HEX SCHMITT TRIGGER INVERTOR
    Қол жетімділік
    Қор:
    Available
    Тапсырыс бойынша:
    5000
    Саны енгізіңіз:
    NSS12601CF8T1G ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
    Анықтамалық баға (USD)
    Саны
    Тауар өлшемінің бағасы
    Қосымша. Бағасы
    1
    0,66 $
    0,66 $
    10
    0,55 $
    5,46 $
    100
    0,35 $
    35,20 $
    1000
    0,28 $
    282,00 $
    2021 жылдан бастап жартылай өткізгіштің жетіспеушілігіне байланысты 2021 жылға дейінгі қалыпты баға төмен. Растау үшін сұрау жіберіңіз.
    -ден бастаңыз
    Top