IRF6608

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

N

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

DirectFET-ST

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

11.8 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

11 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

12 V

Qg - қақпа заряды:

15 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 40 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

42 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.7 mm

Ұзындығы:

4.85 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

HEXFET Power MOSFET

Ені:

3.95 mm

Бренд:

Infineon / IR

Күз уақыты:

3.4 ns

Ылғалға сезімтал:

Иә

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

12 ns

Зауыттық буманың саны:

4800

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

16 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

13 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001524584

Tags

IRF660, IRF66, IRF6, IRF