IXTK600N04T2

IXTK600N04T2
Mfr. #:
IXTK600N04T2
Өндіруші:
Littelfuse
Сипаттама:
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
IXTK600N04T2 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXTK600N04T2 DatasheetIXTK600N04T2 Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
IXTK600N04T2 Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
IXYS
Өнім санаты:
MOSFET
RoHS:
Y
Технология:
Си
Орнату стилі:
Тесік арқылы
Пакет/қорап:
TO-264-3
Арналар саны:
1 Channel
Транзистордың полярлығы:
N-арна
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:
40 V
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:
600 A
Rds On - ағызу көзіне қарсылық:
1.5 mOhms
Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:
1.5 V
Vgs - Шлюз көзі кернеуі:
20 V
Qg - қақпа заряды:
590 nC
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 55 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 175 C
Pd - қуаттың шығыны:
1.25 kW
Конфигурация:
Бойдақ
Арна режимі:
Жақсарту
Сауда атауы:
HiPerFET
Қаптама:
Түтік
Өнім:
MOSFET қақпасының драйверлері
Серия:
IXTK600N04
Транзистор түрі:
1 N-Channel
Түрі:
TrenchT2 GigaMOS
Бренд:
IXYS
Форвард өткізгіштік - Мин:
90 S
Күз уақыты:
250 ns
Өнім түрі:
MOSFET
Көтеру уақыты:
20 ns
Зауыттық буманың саны:
25
Ішкі санат:
MOSFETs
Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:
90 ns
Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:
40 ns
Бірлік салмағы:
0.352740 oz
Tags
IXTK60, IXTK6, IXTK, IXT
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 40V 600A TO-264
Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
GigaMOS™ TrenchT2™ Power MOSFETs
IXYS GigaMOS™ TrenchT2™ standard and HiPerFET™ Power MOSFETs are offered with drain-to-source voltage ratings from 40V to 170V and provide high current capabilities of up to 600A (Tc=@25ºC). The combined high current ratings of these devices and available compact package options provide designers the ability to control more power within a smaller footprint. These new IXYS GigaMOS Power MOSFETs incorporate IXYS TrenchT2 Technology, allowing for improved channel density while achieving lower on-state resistance and gate charge to facilitate energy-efficient switching at high speeds. These IXYS GigaMOS TrenchT2 Power MOSFETs eliminate multiple paralleled lower current rated MOSFET devices and provide the ability to control more power within a smaller footprint. These devices are designed for use in a wide range of applications, including synchronous rectification, DC-DC converter, battery charger, and switch-mode and resonant-mode power supplies.
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
IXTK600N04T2
DISTI # IXTK600N04T2-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 40V 600A TO-264
RoHS: Compliant
Min Qty: 25
Container: Tube
Temporarily Out of Stock
  • 25:$16.2800
IXTK600N04T2
DISTI # 747-IXTK600N04T2
IXYS CorporationMOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
RoHS: Compliant
14
  • 1:$20.2400
  • 10:$18.4000
  • 25:$17.0200
  • 50:$15.6600
  • 100:$15.2700
  • 250:$14.0000
  • 500:$12.7100
Сурет Бөлім № Сипаттама
IR44273LTRPBF

Mfr.#: IR44273LTRPBF

OMO.#: OMO-IR44273LTRPBF

Gate Drivers HVIC
1N4148

Mfr.#: 1N4148

OMO.#: OMO-1N4148

Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V Io/200mA BULK
228

Mfr.#: 228

OMO.#: OMO-228

Phone Connectors 2C FLAT PLUG 1/4"
CSD18511KCS

Mfr.#: CSD18511KCS

OMO.#: OMO-CSD18511KCS

MOSFET 40V, N ch NexFET MOSFETG , single TO-220, 2.6mOhm 3-TO-220 -55 to 175
CR201-50VE

Mfr.#: CR201-50VE

OMO.#: OMO-CR201-50VE

Heat Sinks Aluminum heatsink 50mmdegreased
ESP-WROOM-02U

Mfr.#: ESP-WROOM-02U

OMO.#: OMO-ESP-WROOM-02U

WiFi Modules (802.11) SMD MODULE,ESP8266EX 2MBITS SPI FLASH
IR44273LTRPBF

Mfr.#: IR44273LTRPBF

OMO.#: OMO-IR44273LTRPBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

Gate Drivers HVIC
228

Mfr.#: 228

OMO.#: OMO-228-KEYSTONE-ELECTRONICS

Battery Holders, Clips & Contacts Cylindrical Battery Contacts, Clips, Holders & Springs Battery CLIP AA
209

Mfr.#: 209

OMO.#: OMO-209-KEYSTONE-ELECTRONICS

Lamps B-6 INCND SC BAY BASE LP
1N4148

Mfr.#: 1N4148

OMO.#: OMO-1N4148-ON-SEMICONDUCTOR

Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V Io/200mA BULK
Қол жетімділік
Қор:
Available
Тапсырыс бойынша:
1992
Саны енгізіңіз:
IXTK600N04T2 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
Анықтамалық баға (USD)
Саны
Тауар өлшемінің бағасы
Қосымша. Бағасы
1
20,24 $
20,24 $
10
18,40 $
184,00 $
25
17,02 $
425,50 $
50
15,66 $
783,00 $
100
15,27 $
1 527,00 $
250
14,00 $
3 500,00 $
500
12,71 $
6 355,00 $
1000
11,60 $
11 600,00 $
-ден бастаңыз
Ең жаңа өнімдер
Top