Jan2N6987/TR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

Биполярлы транзисторлар - BJT

RoHS:

N

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-116-14

Транзистордың полярлығы:

PNP

Конфигурация:

Төрт

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

60 V

Коллектор – базалық кернеу VCBO:

60 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

5 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

1.6 V

Тұрақты ток коллекторының максималды тогы:

600 mA

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 65 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 200 C

Тұрақты ток күші hFE макс:

450 at 1 mA, 10 V

Бренд:

Микрочип / Microsemi

Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:

50 at 500 mA, 10 V

Pd - қуаттың шығыны:

1.5 W

Өнім түрі:

BJTs - Биполярлы транзисторлар

Зауыттық буманың саны:

1

Ішкі санат:

Транзисторлар

Tags

Jan2N6987, Jan2N698, Jan2N69, Jan2N6, Jan2N, Jan2, JAN